Diskussion:Immersionslithografie

Dieser Artikel war am 21. Juli 2017 der Artikel des Tages.

Immersionslithografie - Review Ende 2011 [1]

Die Immersionslithografie ist eine Technik zur Verbesserung der optischen Abbildung von fotolithografischen Systemen in der Halbleitertechnik. Dabei wird der bei konventionellen Projektionssystemen vorhandene Luftspalt zwischen der letzten Linse und der Wafer-Oberfläche mit einem flüssigen Medium ersetzt. Dieses Immersionsflüssigkeit genannte Medium hat einen größeren Brechungsindex als Luft (n_Luft ≈ 1). Durch diese Änderung erhöht sich die numerische Apertur des Abbildungsapparats und somit dessen Abbildungstiefe (engl. depth of focus, DOF) bzw. minimale Auflösung, das heißt das kritische Maß (engl. critical dimension, CD) oder das kleinste Halbraster (engl. minimum half-pitch).

Hallo zusammen, den Artikel gibt es jetzt schon eine ganze Weile und mit dieser Review möchte ich etwas Rückmeldung bekommen, welche Aspekte ggf. noch im Artikel fehlen oder besser erklärt werden sollten. Auch Kommentare oder Korrekturen bezüglich Formulierungen, Rechtschreibung usw. sowie eine Einschätzung hinsichtlich einer Kandidatur wären schön. Grüße -- Cepheiden 15:55, 27. Aug. 2011 (CEST)

Hi, sehr spezielles Thema, sonst meiner Meinung durchaus guter Artikel. Einige Anregungen/Fragen dazu:

• Vielleicht kann unter "Aktueller und zukünftiger Einsatz" konkrete Beispiele gebracht werden, welche Chips mit zwei oder drei Beispielen, mit der Immersionslithografie gefertigt werden.
• Gibt es Chips welche zuvor mit der "trockenen Lithographie" gefertigt wurden und dann die Fertigungsschiene auf Immersionslithografie umgestellt wurde? Wenn ja, gibt es vielleicht direkte Vergleichszahlen (Defektkonzentrationen), zum Abschnitt "Problemstellungen beim Einsatz in der Massenproduktion"
• Wie schaut es mit den Durchsatzzeiten in Vergleich zu Vorgängertechnologien aus? (Produktionszeiten) - sind die bei Immersionslithografie länger?--wdwd 18:01, 3. Sep. 2011 (CEST)

Sind nicht 22 nm (wohl mit 193i-Litho) schon in Serie? – Rainald62 19:20, 3. Sep. 2011 (CEST)

Hallo Danke für die Anmerkungen:

• Beispiele kann ich gerne noch einfügen, wobei das nahezu alle integrierten Schaltkreise ab der sogenannten 45-nm-Technik sein sollten (Alternative Verfahren sind nicht für die Massenproduktion tauglich)
• Eine solche Umstellung ist mir nicht bekannt. Das wäre meiner Meinung nach sehr ungewöhnlich für diese Branche, da entsprechende Produkte und die genutzten Prozesse sehr eng verzahnt sind und eine solche Umstellung keine einfache Angelegenheit ist. Was aber gemacht wird, ist die Nutzung verscheidener Generationen von fotolithografischen Anlagen für ein Produkt, das heißt die ersten Ebenen werden mit der besten und auch teuersten Technik gerfertigt und wo die Anforderungen geringer werden kommen frühere Generationen zum Einsatz (trockene ArF-Scanner, KrF-Scanner ggf. sogar noch i-Line-Scanner). Ich werde mal schauen wo man hier einen Verweis einbauen kann, ist aber eher was für den Hauptartikel
• Durchsatzzeiten könnte ich mal Vergleichen, da die Anlagenhersteller weitere Verbesserungen eingefügt haben, gehe ich aber nicht von größeren Unterschieden aus.
• Soweit ich weiß ist Intel der einzige Hersteller der in größerem Maßstab "22-nm-Produkte" entwickelt. Die sollen aber erst nächstes Jahr verfügbar sein, zudem halte ich die "22 nm" für eine PR-Masche, die den abstrakten Technologieknotenbegriff nutzt.

Grüße und Danke --Cepheiden 16:18, 4. Sep. 2011 (CEST)

Hallo Cepheiden, ich fang mal mit der Einleitung an. Da fehlen die Links zu Numerische Apertur und Immersionsflüssigkeit -> Immersionsöl -> Immersion (Mikroskopie). Zur Sprache und Begriffen: der Hinweis auf die engl. Begriffe critical dimension und minimum half-pitch sind imo nicht notwendig; Bzw. ist nicht ausgeschrieben; nLuft ≈ 1 nicht notwendig in der Einleitung; (Stand 2011) würde ich anders formulieren; höhere Auflösung bis 28 nm zu genau für Einleitung; ..mit einem flüssigen Medium ersetzt => ..durch ein flüssiges Medium ersetzt? Die beiden letzten Sätze mit dem Hinweis auf zukünftige Techniken und den kommerziellen Anbietern gehören imo nicht in Einleitung. Gruss, Linksfuss 21:39, 4. Okt. 2011 (CEST)

Hallo und danke für die Hinweise.

• Intralinks eingebaut
• englische Begriffe sind meiner Meinung nach notwendig, da sie auch in deutschsprachiger Literatur und im Fachbereich insgesamt dominant gebraucht werden.

• ich hadere bei meinen eigenen Artikeln auch mit der Verwendung der engl Begriffe; ich denke, wenn man sich mit dem Fachgebiet nicht vertraut ist, scheinen sie entbehrlich

• Was stört genau an n_Luft ≈ 1?

• Mich persönlich stört es nicht, die Einleitung sollte aber mE so OMAfreundlich wie möglich sein

• Formulierung korrigiert
• Der Hinweis auf weitere Techniken Halte ich durchaus für sinnvoll, da ohne die Immersionslithografie die Entwicklung in den letzten Jahren ganz anders verlaufen wären. Immerhin gibt es für die anderen Lithografie-Techniken noch kaum kommerziell einsetzbare Systeme

ok, grenzwertig; den Hinweis halte ich auch für sinnvoll, nur nicht unbedingt in der Einleitung; hier sollte imo der Fokus auf dem Lemma liegen und nicht auf andere Techniken.

• Die Infos zu kommerziellen Anbietern habe ich aus der Einleitung entfernt. Das war wirklich nicht notwendig

--Cepheiden 16:27, 7. Okt. 2011 (CEST)

Habe in die Hinweise auf Alternativverfahren in den Geschichtsteil verschoben --Cepheiden 11:25, 8. Okt. 2011 (CEST)

Hallo Cepheide, hier meine Anmerkungen zur Geschichte:

1. Die Verbesserung…ist lange bekannt: seit wann?
2. ..in der Lage sind, die benötigten...: in der Lage waren?
3. ..ein möglicher Kandidat, um auch weiterhin die Skalierung..:möglicher unnötig; Link auf Skalierung (Mikroelektronik) fehlt
4. Andere Methoden sind … Entwicklung waren: die Zeiten sollten im gesamten Abschnitt einheitlicher sein
5. ..Wellenlängen von 442 und 193 nm vorgestellt..: OMA fragt sich, warum gerade diese Wellenlängen?
6. Trockene ARF Scanner, Einführung des 55-nm-Technologieknotens: Häh? Gruss, OMA
7. Kosten: Sind diese gleich für jede Anlage oder Abhängig von Durchsatz etc.?

Gruss, Linksfuss 22:30, 7. Okt. 2011 (CEST)

Hallo Linksfuss,

• zu 1.) Das kann ich nicht sagen, der Artikel Immersion (Mikroskopie) gibt dazu auch keine Auskunft. Vermutlich geht die Technik auf Giovanni Battista Amici zurück der gegen 1840 diese Technik entwickelt haben soll (Belege fehlen).
• zu 2.) erledigt
• zu 3.) erledigt
• zu 4.) versuche ich zu beherzigen
• zu 5.) habe statt der Wellenlänge die jeweiligen Lichtquellen eingebaut
• zu 6.) Versteh nicht was du mir bezüglich "Trockene ARF Scanner, Einführung des 55-nm-Technologieknotens" sagen willst.
• zu 7.) Die Kosten zu beziffern ist sehr schwer, da sie ja keine normale Handelsware sind, die es überall zu kaufen gibt (Stichwort: Vertragsverhandlungen). Die Kosten sind abhängig von den Hersteller und der Anlagengeneration. Hier gibt es natürlich auch Unterschiede im Durchsatz. Allerdings hängt der Durchsatz im wesentlichen von der Wafergröße und der bei allen Anlagen recht variablen Scangeschwindigkeit über den Wafer ab, und ist weitgehend ähnlich. Des Weiteren ist dies meiner Meinung nach kein entscheidender Faktor für die Preisbildung. (Habe da aber auch keine Details.)

Grüße --Cepheiden 11:25, 8. Okt. 2011 (CEST) P.S. Wenn möglich nicht die Diskussionbeiträge durch eingeschobene Antworten zerfleddern sondern mit den Aufzählungspunkten arbeiten.

• zu 1) Hallo Cepheiden, scheint schwierig zu sein, in den Büchern wird eine Zeitspanne von 1820 bis 1850 angegeben (1840, 1820, 1820er, around 1850).
• zu 6) war etwas salopp formuiert, was ich Dir mitteilen wollte, ist das die Formulierungen für OMA nicht verständlich sind. Imo sollte die Einleitung und die Geschichte OMA freundlich sein. Trockene ARF Scanner und ein 55-nm-Technologieknoten gehören nun mal nicht zum Allgemeinwissen.

Gruss, Linksfuss 21:17, 8. Okt. 2011 (CEST)

Hallo Linksfuss,

• zu 6.) Technologieknoten lässt sich allgemein schlecht definieren, ist aber nun verlinkt und das reicht meiner Meinung nach, oder? Was "trockene" Systeme sind, sollte jetzt auch klar sein.

Grüße --Cepheiden 08:14, 9. Okt. 2011 (CEST)

Hat sonnst noch jemand Anmerkungen für mich? Grüße --Cepheiden 15:22, 1. Nov. 2011 (CET)

Hallo Cepheiden, ein paar Anmerkungen habe ich noch:

• Geschichte, zweiter Satz: Sie haben einen. Da ist etwas verschwunden.
• Abschnitt Problemstellungen beim Einsatz in der Massenproduktion: die Überschrift sollte besser Probleme statt Problemstellungen heißen (ist ja keine Doktorarbeit…)
• Engl yield kann entfallen,
• Satz Immanente Defekte der Immersionslithografie wurden identifiziert.: läßt den Leser etwas im Dunklen, was dies bedeuten soll (Probleme statt Defekte?)
• Satz Die Reduktion der Partikelerzeugung durch die Wasserabgabeeinheit wurde gefunden, um die Häufigkeit von Fehlern zu verringern.: die Satzstellung ist suboptimal
• Letzter Satz, erster Abschnitt: So dass aus diesem Blickwinkel die IL bevorzugt wird.: das ist eigentlich kein Satz.

In Summe: sprachlich könnten einige Abschnitte eine Überarbeitung vertragen. Gruss, Linksfuss 21:01, 21. Nov. 2011 (CET)

Ja, in Bezug auf den Ausdruck gibt es noch reichlich Verbesserungspotential. Darauf habe ich leider beider Übersetzung des ursprünglichen Artikels aus der en-Wiki nicht besonders geachtet. Ich werde nochmal alle Abschnitte durchgehen, oft fehlt auch ein gewisser roter Faden. --Cepheiden 08:53, 23. Nov. 2011 (CET)

Dieser Abschnitt kann archiviert werden. --Cepheiden 13:32, 9. Jan. 2012 (CET)

Auszeichnungskandidatur 9.-19.1.2012 (Ergebnis: Lesenswert)

Die Immersionslithografie ist eine Technik zur Verbesserung der optischen Abbildung von fotolithografischen Systemen in der Halbleitertechnik. Dabei wird der bei konventionellen Projektionssystemen vorhandene Luftspalt zwischen der letzten Linse und der Wafer-Oberfläche durch ein flüssiges Medium ersetzt. Dieses Immersionsflüssigkeit genannte Medium hat einen größeren Brechungsindex als Luft (nLuft ≈ 1). Durch diese Änderung erhöht sich die numerische Apertur (NA) des Abbildungsapparats und somit dessen Abbildungstiefe (engl. depth of focus, DOF) bzw. minimale Auflösung, das heißt das kritische Maß (engl. critical dimension, CD) oder das kleinste Halbraster (engl. minimum half-pitch). Die Immersionslithografie erlaubt es die derzeit (Stand 2011) in der Produktion von mikroelektronischen Schaltkreisen üblichen Lithografiesysteme auf Basis von ArF-Excimerlaser weiterhin zu nutzen und dennoch höhere Auflösungen bis zu 28 nm zu erzielen.

Seit einiger Zeit arbeite ich an diesem Artikel und nach einer Review in den letzten Wochen möchte den Artikel nur für eine Auszeichnung vorschlagen (technische Artikel sind sowieso viel zu selten Kandidaten). Kommentaren oder Korrekturen bezüglich Formulierungen, Rechtschreibung usw. stehe ich offen gegenüber und freue mich über jeden Verbesserungsvorschlag. Als Hauptautor bleibe ich natürlich  Neutral. Grüße -- Cepheiden 15:55, 27. Aug. 2011 (CEST)

Hallo Cepheiden, schöner Artikel, erklärt den Sachverhalt anschaulich. Ein paar Anmerkungen/Fragen habe ich:

• der letzte Satz der Einleitung ist Spekulation und gehört nicht in den Artikel.
• bzgl. der Weiterentwicklungen: ich würde vermuten, dass man zunächst versucht, der Einfachheit halber den Brechungsindex von Wasser zB durch Zugabe von Salzen zu verändern, da dies dem verwendeten System sehr ähnlich ist anstatt perfluorierte Ether zu verwenden. Wird dies nicht gemacht?
• Warum können die bisher verwendeten Fotolacke nicht bei der EUV-Lithographie verwendet werden?
• Du verwendest oft Klammern, dass stört den Lesefluss; die Klammern können imo meist wegfallen.
• Mein Urteil ist  Lesenswert.

Gruss, Linksfuss 21:31, 11. Jan. 2012 (CET)

Hallo,

• die Einleitung habe ich nochmals überarbeitet, so dass auch die Bedeutung der Technik klarer hervortritt. Den letzten Satz habe ich etwas abgeschwächt, aber viel Spekulation ist das eigentlich nicht mehr, ähnlich funktionierende Alternativen sind einfach nicht in Sicht und werden wohl auch nicht mehr gesucht. erledigtErledigt
• Interessante Idee, aber um welchen Faktor könnte dies den Brechungsindex erhöhen? Kann man damit ein Brechungsindex von 1,8 oder mehr erreichen? In den Publikationen die ich dazu bislang gelesen habe, wird diese Option nicht erwähnt. Ich weiß auch nicht in wieweit hier größere Wechselwirkungen mit den anderen Komponenten stattfinden und ob hier durch Auskristallisation nicht zu viel Defekte entstehen würden (Anforderungen sind hier sehr hoch). erledigtErledigt
• Die Fotolackchemie ist eine andere (Details müsste ich nachlesen) und die bislang eingesetzten Fotolacke zeigen wie viele eingesetze Materialien eine stark zunehmende Absorption ab ca. 160 nm. So dass bei EUV (13,5 nm) schlicht zu wenig Licht durchkommt und die thermische Belastungen ebenfalls nicht mehr handhabbar sind. Das ist quasi dasselbe Problem wie für F2-Laser (157 nm) nur viel extremer, denn bei EUV können ja nicht mal mehr brechende Linsen eingesetzt werden, da die Energie des EUV-licht über dem Bandabstand der üblichen bzw. bisher in Erwägung gezogenen Linsenmaterialien liegen (Stichwort: Absorption) erledigtErledigt
• Um die Klammer kümmere ich mich.

Grüße und Danke --Cepheiden 17:40, 13. Jan. 2012 (CET)

Schöner Artikel. Mein einziger Kritikpunkt ist, dass in der Einleitung konkreter (für die OmA) formuliert werden sollte, dass es hier um eine Produktionsmethode zum Belichten und nicht um ein Betrachten (wie beim Immersionsmikroskop) geht.

• Ansonsten finde ich das  Lesenswert.

--PeterFrankfurt 02:07, 12. Jan. 2012 (CET)

Hallo,

danke für die Anmerkungen, ich habe versucht das in der Einleitung nochmals hervorzuheben, aber denke, dass dies etwas zu weit geht, da es ja eigentlich erwähnt wird. erledigtErledigt

Grüße --Cepheiden 17:40, 13. Jan. 2012 (CET)

Sehr schön.  Lesenswert allemal.

• Die Verwendung von "bzw." daraufhin überprüfen, ob die Beziehung für den Leser ersichtlich ist.
• Die Abbildung zum Immersionsprinzip betont ungebührlich die Totalreflexion. Die ließe sich auch durch konkave Krümmung der Austrittsfläche bekämpfen. Wichtiger ist der im Fotolack erreichbare Winkel ausgehend von flacher Einstrahlung aus Luft bzw. Wasser. Den Effekt, Faktor 1,47 im Sinus, kann man leider kaum erkennen. Dickerer Fotolack würde helfen. Hast Du die Winkel berechnet? Instruktiv wäre auch, eine stehende Welle in Luft bzw. Wasser zu vergleichen.
• Eine zusätzliche Abb. zum Beitrag der Immersion zur Schärfentiefe wäre hilfreich.
• Die Verwendung von "von" daraufhin überprüfen, ob nicht ein Genitiv korrekt wäre.
• omA hilft's, wenn Du das Verfahren in der Einleitung über die Verringerung der Wellenlänge statt über die Erhöhung der NA motivierst.
• Im Abschnitt ==Hintergrund und Funktionsweise== sollte die Funktionsweise dominieren. Ein erster Schritt in diese Richtung könnte die verlustlose Kürzung des längsten Absatzes sein ("Der Koeffizient ...").
• Eine beispielhafte Verwendung der neuen Vorlage "Zukunft" habe ich eingefügt.

– Rainald62 04:52, 12. Jan. 2012 (CET)   P.S.: weiter 4 Punkte eingefügt um 22:30, 12. Jan. 2012 (CET)

Danke schon mal an alle Helfer für ihre Hinweise, ich komme leider erst morgen dazu sie umzusetzen. Grüße --Cepheiden 15:39, 12. Jan. 2012 (CET)

hallo,

• die "bzw." bin ich nochmal durchgegangen und habe sie teilweise durch verbesserte Beschreibungen ersetzt. erledigtErledigt
• Eine konkave Krümmung würde aber die optische Abbildung generell beeinflussen oder nicht? Kann denn damit wirklich die Tiefenschärfe und das Auflösungsvermögen verbessert werden? Ich kann leider auf die schnelle nicht einschätzen ob dies wirklich eine Verbesserung ist. Informationen wie die letzte Linse aussieht hab ich bislang auch nur in Abbildungen gefunden und dort ist die flach. Zumindest bei der Immersionslithografie vermute ich hier auch ein besseres Strömungsverhalten. Wie gesagt, bei solchen Details zum Anlagenaufbau bin ich derzeit überfragt. Die Winkel sind derzeit nicht berechnet, da nur das Prinzip verdeutlich werden sollte. Kann man aber bei Bedarf für eines von vielen Systemen näherungsweise mal machen. Mir fehlt hier aber etwas Zeit.
• Ja die Abbildung zur Schärfentiefe wollte ich noch nachreichen.
• Überraschend viele "von"s im Text, ich habe aber keinen Genitiv-Fall entdeckt, liegt ggf. an meinem Sprachempfinden. erledigtErledigt
• Ich kann mir nicht vorstellen, dass ich OMA damit helfe, wenn ich schon in der Einleitung mit dem Einfluss der Wellenlänge (im Vakuum und in anderen Medien wie Immersionsmedium und Fotolack) konfrontiere. Ich denke auch nicht, dass dies die entscheidende Motovation ist. Der Fotolack selbst ist meist das hochbrechenste Medium im Bereiche Linse-Wafer (Substrat usw. lassen wir mal außenvor). Ziel ist es daher mMn möglichst viel Licht unter einem großen Einfallswinkel von der Linse in den Fotolack zu bekommen, wie ich hier in der Einleitung die Wellenlänge einbringen soll und dennoch den Unterschied zu Nutzung von anderen Laserquellen mit kürzeren Wellenlängen verdeutlichen kann, ist mir unklar. erledigtErledigt
• Ja der Absatz hat mich auch schon gestört. Habe aber bislang keinen Weg gefunden die Information anderswo unterzubringen. Entfernen sollte man diese Zusammenhänge meiner Meinung nach nicht. Ich schau nochmal nach.
• Hab die Vorlage entfernt, ich denke sie soll anders eingesetzt werden. erledigtErledigt

--Cepheiden 17:40, 13. Jan. 2012 (CET)

• "of" → "von" ist oft Denglish, besser "Herstellung strukturierter Fotolackmasken". Übrigens ist "Fotolackmaske" hier unpassend. Zur (Ätz)maske wird der Fotolack erst später.
• Du mutest dem omA-Leser zu, erst die verlinkte NA zu lesen, oder "aufzugeben". Dass mit kürzerer Wellenlänge im Spalt eine schärfere Abbildung möglich ist, wird er mit weniger schlechtem Gefühl akzeptieren oder sogar verstehen, insbesondere wenn noch ein wellenoptisches Bild eingefügt wird.

– Rainald62 05:05, 14. Jan. 2012 (CET)

Hallo, danke dafür, aber:

• wie ich oben schon sagte ist die Motivation über die Wellenlänge falsch oder wenigstens genauso unverständlich. Denn omA bemerkt mit Sicherheit nicht den Unterschied zwischen der Verringerung der Wellenlänge im Kopplungsmedium zwischen Linse und hochbrechendem Fotolack und der Verringerung der eingesetzten (Vakuum-)Wellenlänge. Meiner Meinung nach schickt man den Leser damit auf eine falsche Fährte. Mag sein, dass der Leser dies mit "weniger schlechtem Gefühl akzeptieren" würde. Dennnoch halte ich diese Motivation für falsch, denn mindestens genauso entscheidend wie der Brechungsindex ist, dass der Einfallswinkel von der Linse auf das Kopplungsmedium größer sein kann, daher ist die NA als Produkt aus Brechunsgindex und Sinus des Einfallswinkels korrekt.
• Zur Fotolackmaske, nein dies ist überhaupt nicht unpassend sondern korrekt Zweck der fotolithografischen Strukturierung ist immer die Maskierung und dass sollte nochmal betont werden. Eine Fotomaske ist im übrigen nicht immer eine Ätzmaske, sondern kann auch für andere Folgeverfahren als Maskierung eingesetzt werden.
• bzgl. "von" ja da magst du Recht haben, dennoch habe ich diesbezüglich nichts gefunden. --Cepheiden 11:46, 14. Jan. 2012 (CET)

Totalreflexion tritt auf, wenn das Brechungsgesetz für den Sinus des Austrittswinkels einen Wert > 1 ergibt. Sinus-Werte von z.B. 0,9 sind also mit Luft im Spalt zu erreichen. Die Wirkung der Immersion, wenn der Sinus schon groß ist, kann nur von der Wellenlänge kommen. – Rainald62 01:10, 15. Jan. 2012 (CET)

Dem muss ich nochmal genauer nachgehen. Danke für den Hinweis. --Cepheiden 13:01, 16. Jan. 2012 (CET)

Bzgl. des Koeffizenten-Absatzes: Den würde ich nach nochmaliger Überlegung weiterhin im Abschnitt "Hintergrund und Funktionsweise" belassen. Grund: Eine Löschung halte ich für falsch, das hier nützliche Hintergrundinformation zur Motivation der Entwicklung verloren geht. Die Information anderswo, z.B. in der Geschichte unterzubringen würde erzwingen, dass dort bereits über die Formeln gesprochen wird, was ich für ungünstig halte. --Cepheiden 12:00, 14. Jan. 2012 (CET)

Mit "verlustlos kürzen" meinte ich nicht löschen, sondern knapper formulieren. – Rainald62 01:10, 15. Jan. 2012 (CET)

Ich bin auch der Meinung das der Artikel sehr gut geworden ist und das Prädikat  Lesenswert verdient hat. Mit der Einleitung bin ich aber nicht ganz so zufrieden und sie könnte noch etwas Feinschliff vertragen. Wahrscheinlich durch die mehreren kleinen Änderungen der letzten Zeit ist sie ein wenig unübersichtlich und verwirrend geworden. Hab mir mal die Mühe gemacht (zur Anregung) eine Version vorzuschlagen: Benutzer:Krib/Spielwiese. Evtl. reicht auch nur die Erwähnung eins von beidem (Einleitung!): kritisches Maß - kleinstes Halbraster. MfG--Krib 00:32, 14. Jan. 2012 (CET)

Ich habe mir erlaubt, die Einleitung gleich im Artikel zu stutzen. – Rainald62 05:05, 14. Jan. 2012 (CET)

@ Krib: Danke, für den Vorschlag, Details in der Formulierung stehe ich offen gegenüber, solange meiner Meinung nach wichtige Punkte behandelt werden. Wie ist deine Meinung zur aktuellen Einleitung? --Cepheiden 11:49, 14. Jan. 2012 (CET)

Schöner Artikel zu dem Bereich der Fertigungstechniken im Halbleitersektor, meiner Meinung  Lesenswert.--wdwd 12:10, 14. Jan. 2012 (CET)

5x Lesenswert => Der Artikel ist lesenswert AF666 15:30, 19. Jan. 2012 (CET)